قالت مصادر إن أحدث شرائح الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي (HBM) من سامسونج إلكترونيكس فشلت في اختبارات إنڤيديا (Nvidia) لمعالجات الذكاء الاصطناعي بسبب مشاكل الحرارة واستهلاك الطاقة. تؤثر المشكلات على كل من شرائح HBM3 من الجيل الرابع ورقائق HBM3E من الجيل الخامس الجديدة. ذكرت شركة سامسونج أن شرائح الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي تتطلب تحسين لتلبية احتياجات العملاء وتعمل بشكل وثيق مع العملاء لمعالجة هذه المشكلات. وفي بيان لاحق، أنكرت سامسونج المشكلات المبلغ عنها، مؤكدة أن الاختبار يسير بسلاسة. ورفضت نفيديا التعليق.
تعد شرائح الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي، أحد أنواع ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) المزود بشرائح مكدسة رأسيًا، ضروريًا لمعالجة كميات كبيرة من البيانات في تطبيقات الذكاء الاصطناعي. مع ارتفاع الطلب على وحدات معالجة الرسومات المتطورة، زادت أيضًا الحاجة إلى هذه الشرائح. يعد تلبية معايير إنڤيديا أمرًا بالغ الأهمية لسمعة وأرباح الشركات المصنعة. تحاول شركة سامسونج اجتياز اختبارات إنڤيديا منذ العام الماضي. أدت حالات الفشل الأخيرة في اختبار شرائح HBM3E من سامسونج إلى زيادة مخاوف الصناعة والمستثمرين من أن سامسونج قد تتخلف أكثر عن منافسيها إس كي هاينكس (SK Hynix) ومايكرون للتكنولجيا (Micron Technology) في سوق شرائح الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي.